这场比赛正在生产第一个1000TB SSD，这不是什么秘密。在2022年的技术日，三星揭示了雄心勃勃的计划，即到2030年将其最先进的NAND芯片“堆叠1000多层”，这意味着PBABYTE SSD到那时可能会到达。
去年，该公司放弃了可能会更早提供它的能力，但这似乎一直是一厢情愿的思考。
也就是说，在未来的NAND芯片的发展方面显然是全力以赴的。这家韩国电子巨头最近宣布，它将开始大规模生产其最新的290层第九代垂直（V9）NAND芯片，并广泛期望它将揭示出惊人的430层的第十代（v10）NAND CHIP。
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hafnia ferroelectrics
因此，尽管我们对公司的幕后幕后发展有什么了解，但要生产第一个PBABYTE SSD，但一些线索已经出现在线。
在檀香山举行的VLSI技术研讨会上，将是由韩国高级科学技术学院电气工程系的博士学位学生Giwuk Kim提出的技术会议。他的研究兴趣包括基于Hafnia的Fe-Nand Memory，Feram和内存计算应用程序，这将是会议的重点，该会议的重点为“对Hafnia Ferroelectrics的深入分析，作为低压和QLC 3D VNAND超过1K层实验演示和建模的低电压和QLC 3D VNAND的关键增强器。”
作品的摘要＆ndash;扰流板警报＆ndash;三星电子合着的人物如下：“我们在实验中证明了一个显着的性能改善，这是由于电荷捕获和铁电（FE）切换效应在金属带栅极工程层Interlayer（be-g.il）（be-g.il）（be-g.il）中的相互作用所促进的。促进双重效应的最大化反馈＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo＆rsquo;归因于加剧的posi。
三星在示威活动中将扮演的角色（如果有的话）目前还不知道，但是该公司在探索Hafnia ferroelectrics的潜力方面并不孤单。Giwuk Kim＆rsquo的演讲是题为“非挥发记忆技术-HAFNIA基于Hafnia的Ferroelectrics-1”研讨会上的一部分，该研讨会由Samsung's Artrival Sk Hynix的材料开发负责人Deoksin Kil主持。
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三星希望在20331000TB SSD之前启动1000TB SSD
