二维（2D）材料及其异质结构显示了下一代电子1,2,3的有希望的途径。然而，主要是由于三个关键的挑战：i）对逐层2D材料增长的精确动力学控制，ii）在增长过程中保持单个域，以及iii）层层数和结晶的晶状体可控性。在这里，我们介绍了一种确定性的，有限的增长技术，可以同时解决这三个问题，从而获得晶圆尺度的单域2D单层阵列及其异质结构在任意基板上。我们通过在两英寸底物上构图SIO2掩模来定义选择性生长区域，从而几何地局限第一组核的生长。由于在微米尺度SiO2沟渠处的生长持续时间大大减少，因此我们通过填充第一组Nuclei的第一组核的短期生长，在不需要的第二组核中，通过填充第一组核的短期生长，在任意基板上获得了晶圆尺度的单域单层单层WSE2阵列，因此无需填充核。具有相同原理的过渡金属二分法的进一步生长产生了单域MOS2/WSE2异质结构的形成。我们的成就将为2D材料奠定坚实的基础，以适应工业环境。
