自发对称性断裂和拓扑之间的相互作用会导致物质的异国量子状态。一个著名的例子是量子异常厅（QAH）状态，由于固有的铁磁性1,2,3，它在零磁场上表现出整数量子厅效应。在存在强电子 - 电子相互作用的情况下，零磁场处的分数QAH（FQAH）状态可以出现4,5,6,7,8。这些状态可以举办分数激发，包括非亚伯亚人， - 拓扑量子计算至关重要的构件9。在这里，我们报告了FQAH状态在扭曲的钼（Mote2）双层中的实验特征。磁性圆形二色性测量结果揭示了在小孔填充的Moiré迷你班上稳健的铁磁状态。使用Trion光致发光作为传感器10，我们获得了一个Landau粉丝图，显示了与填充因子V = -2/3相对应的载体密度的线性移位，V = -3/5/5亚铁磁态带有磁场。这些变化分别与分数量化的HALL电导和分别为FQAH状态的Streda Formula配方分散。此外，V = -1状态表现出与Chern Number -1相对应的分散体，与预测的QAH状态11,12,13,14一致。相比之下，电子兴奋剂侧的几个非铁磁状态不分散，也就是说，它们是琐碎的相关绝缘子。观察到的拓扑状态可以将电驱动到拓扑上的微不足道状态中。我们的发现提供了长期以来的FQAH国家的证据，展示了Mote2Moiré超级峰顶作为探索分数激发的平台。
